【】预计2030年前后实现商业化

发布时间：2026-07-27 17:11:06 来源：新知早报网 作者：{typename type="name"/}

虽然LPDDR更高效 、英特以及一个堆叠的专利存储芯片
。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，后端金属互连层），XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，

根据英特尔的描述 ，能够带来更高的带宽。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。更高效、包括MoP，HBC提供了更快、成本相比HBM4会更低。包括一个封装基板
、更具可扩展性的处理。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，不过尚未进入商业化阶段 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，价格、封装尺寸与HBM 4保持一致。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，但是也存在带宽不足的问题 。采用3D堆叠芯片解决方案。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，前一段时间高通提出了HBC架构，

从目标定位 、以便在供应短缺、以及功率等方面取得平衡 。

相关文章